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广泛可调谐的带隙，战略以及高稳定性、大载流子迁移率和高开/关比的组合，使C3N双层成为碳基FET以及其他电子和光电器件的有前途的材料。尽管已经观察到各种二维材料的大量带隙调制，合作但碳基材料显示出有限的带隙调节。
在1.4Vnm−1的外加电场作用下，国家公司国际AB层的带隙调制变化为0.6eV。
这项研究是重要的一步，电投但还需要做更多的工作，以更容易地以更低的成本生产这种材料。氢能签署在天然气（甲烷）直接转化制高值化学品和煤基合成气直接制低碳烯烃等研究领域取得重要研究进展。
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